基于半導(dǎo)體的輻射探測(cè)器已經(jīng)有半個(gè)多世紀(jì)的歷史,z初的產(chǎn)品基于鋰漂移的鍺Ge(Li)和鋰漂移的硅Si(Li)。Ge(Li)后來被更先進(jìn)的高純鍺(HPGe)探測(cè)器取代。
鍺半導(dǎo)體輻射探測(cè)器需要低溫冷卻。為了支持各種計(jì)數(shù)幾何形狀,從標(biāo)準(zhǔn)LN2系統(tǒng)到高級(jí)機(jī)電低溫冷卻器(如ICS™)的各種冷卻選項(xiàng)。
采用這些技術(shù)的 HPGe輻射探測(cè)器在全球范圍內(nèi)被廣泛應(yīng)用于核結(jié)構(gòu)物理等各種應(yīng)用,以防止在世界上z大的商業(yè)港口販運(yùn)非法核材料。
| 低溫恒溫器、杜瓦瓶、低溫恒溫器/杜瓦瓶組件和電冷卻 | |||||||||
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所有HPGe輻射探測(cè)器都需要冷卻到低溫,才能正常運(yùn)行。這通常使用液態(tài)制冷劑,z常見的是液氮(LN2)或使用電冷卻器來完成。 ICS(Integrated Cryocooling Systems集成低溫冷卻系統(tǒng))使用經(jīng)行業(yè)驗(yàn)證的斯特林制冷器,比脈沖管設(shè)計(jì)更高效、更可靠。提高效率意味著改善冷卻性能,同時(shí)減少產(chǎn)生的熱量并降低功耗。冷卻器平均無故障時(shí)間(MTTF)超過200,000小時(shí)。
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除前端電子設(shè)備外,密封的HV濾波器和電荷靈敏的混合前置放大器電路都是位于PopTop封裝內(nèi)輻射探測(cè)器組件的后面。它們位于真空室外,處于室溫下。
HV濾波器的長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)可確保將電壓逐漸施加到輻射探測(cè)器上。這可以保護(hù)FET免受電壓尖峰的影響。冷態(tài)時(shí),HPGe輻射探測(cè)器都可以接通全偏置電壓,而不會(huì)有損壞FET的風(fēng)險(xiǎn)。
對(duì)于高計(jì)數(shù)率(>75 kcps)下的同軸輻射探測(cè)器,反饋電路用結(jié)型晶體管取代反饋電阻,當(dāng)輸入FET柵極電壓超過某一閾值電壓時(shí),將接通結(jié)型晶體管。這將輸入FET柵極電壓重置為零。這種類型的前置放大器稱為晶體管復(fù)位前置放大器(TRP)。對(duì)于小型輻射探測(cè)器,電子設(shè)備的z佳分辨率低于50 keV,反饋電路包含一個(gè)LED,它通過類似于TRP的機(jī)制使用光(非電子開關(guān))將輸入FET柵極的電壓重置為零。這種前置放大器[可通過特殊訂單訂購(gòu)的脈沖光學(xué)反饋(POF)]可實(shí)現(xiàn)超低噪聲性能,因?yàn)榉答侂娮锜o窮大(與電阻反饋相反),并且輸入FET柵極上的電容不會(huì)因結(jié)型晶體管(與TRP一樣)的集電極對(duì)地電容的增加而增加。高反饋電阻和低電容是降低噪聲性能的關(guān)鍵。
RA-GEM輻射探測(cè)器是一款P型同軸HPGe探測(cè)器,適用于~40 keV及以上典型能量范圍的γ能譜測(cè)量。
RA-GEM系列探測(cè)器特征:
斯特林制冷器

1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
該機(jī)型采用靜壓氣體軸承支撐技術(shù)消除活塞磨損,設(shè)計(jì)壽命可達(dá) 12 萬小時(shí)以上; 采用高效壓縮機(jī)技術(shù)和高效回?zé)峒夹g(shù),COP 大于 6%@77K;通過單個(gè)直線壓縮機(jī)驅(qū) 動(dòng),采用氣體軸承結(jié)構(gòu)消除支承部件,對(duì)制冷機(jī)結(jié)構(gòu)進(jìn)行緊湊性設(shè)計(jì),制冷冷量重量 比大于 4.2W/kg@80K;采用多臂板簧的自適應(yīng)被動(dòng)減振技術(shù)和高效散熱技術(shù),產(chǎn)品 滿足軍標(biāo)環(huán)境適應(yīng)性要求。
2. 產(chǎn)品功能
為各種類型的器件和系統(tǒng)提供 35K-240K 低溫環(huán)境。
3. 產(chǎn)品特點(diǎn)
體積高、重量小、重量輕,壽命長(zhǎng)。
4. 應(yīng)用領(lǐng)域
高溫超導(dǎo)接收前端、低溫斯特林冰箱、微型制氮機(jī)、制氧機(jī)、冷光學(xué)濾光片、鍺 探測(cè)器、阿爾法磁譜儀、高光譜成像儀、射電望遠(yuǎn)鏡陣列、通訊基站等領(lǐng)域的冷卻。
