基于半導體的輻射探測器已經(jīng)有半個多世紀的歷史，z初的產(chǎn)品基于鋰漂移的鍺Ge（Li）和鋰漂移的硅Si（Li）。Ge（Li）后來被更先進的高純鍺（HPGe）探測器取代。

鍺半導體輻射探測器需要低溫冷卻。為了支持各種計數(shù)幾何形狀，從標準LN2系統(tǒng)到高級機電低溫冷卻器（如ICS™）的各種冷卻選項。

采用這些技術的 HPGe輻射探測器在全球范圍內(nèi)被廣泛應用于核結(jié)構物理等各種應用，以防止在世界上z大的商業(yè)港口販運非法核材料。

低溫恒溫器、杜瓦瓶、低溫恒溫器/杜瓦瓶組件和電冷卻

所有HPGe輻射探測器都需要冷卻到低溫，才能正常運行。這通常使用液態(tài)制冷劑，z常見的是液氮（LN2）或使用電冷卻器來完成。 ICS（Integrated Cryocooling Systems集成低溫冷卻系統(tǒng)）使用經(jīng)行業(yè)驗證的斯特林制冷器，比脈沖管設計更高效、更可靠。提高效率意味著改善冷卻性能，同時減少產(chǎn)生的熱量并降低功耗。冷卻器平均無故障時間（MTTF）超過200,000小時。 提供全套低溫冷卻解決方案，以滿足客戶應用的多樣化要求。這些解決方案包括靜態(tài)和循環(huán)LN2操作，以及各種電低溫冷卻器。 有關每種解決方案的詳細信息，請從下表中進行選擇。 電制冷選件    斯特林壓縮機 用于PopTop和Streamline型HPGe輻射探測器的集成電冷卻系統(tǒng)，采用z新一代的制冷技術，可提供無LN2操作。

除前端電子設備外，密封的HV濾波器和電荷靈敏的混合前置放大器電路都是位于PopTop封裝內(nèi)輻射探測器組件的后面。它們位于真空室外，處于室溫下。



HV濾波器的長時間常數(shù)可確保將電壓逐漸施加到輻射探測器上。這可以保護FET免受電壓尖峰的影響。冷態(tài)時，HPGe輻射探測器都可以接通全偏置電壓，而不會有損壞FET的風險。
對于高計數(shù)率（>75 kcps）下的同軸輻射探測器，反饋電路用結(jié)型晶體管取代反饋電阻，當輸入FET柵極電壓超過某一閾值電壓時，將接通結(jié)型晶體管。這將輸入FET柵極電壓重置為零。這種類型的前置放大器稱為晶體管復位前置放大器（TRP）。對于小型輻射探測器，電子設備的z佳分辨率低于50 keV，反饋電路包含一個LED，它通過類似于TRP的機制使用光（非電子開關）將輸入FET柵極的電壓重置為零。這種前置放大器[可通過特殊訂單訂購的脈沖光學反饋（POF）]可實現(xiàn)超低噪聲性能，因為反饋電阻無窮大（與電阻反饋相反），并且輸入FET柵極上的電容不會因結(jié)型晶體管（與TRP一樣）的集電極對地電容的增加而增加。高反饋電阻和低電容是降低噪聲性能的關鍵。

RA-GEM P型同軸高純鍺（HPGe）輻射探測器

RA-GEM輻射探測器是一款P型同軸HPGe探測器，適用于~40 keV及以上典型能量范圍的γ能譜測量。

RA-GEM系列探測器特征：

• 效率達150％，還可應要求提高。
• 出色的能量分辨率和峰值對稱性。
• SMART偏壓選件。
• 惡劣環(huán)境（-HE）選件。
• 低本底碳纖維端蓋選件。
• 外加前置放大器選件適用于超高計數(shù)率應用。
• 廣泛的配置靈活性，PopTop、Streamline和機械冷卻選項。

• 斯特林制冷器

  

   

   

  1. 產(chǎn)品簡介

  該機型采用靜壓氣體軸承支撐技術消除活塞磨損，設計壽命可達 12 萬小時以上； 采用高效壓縮機技術和高效回熱技術，COP 大于 6%@77K；通過單個直線壓縮機驅(qū) 動，采用氣體軸承結(jié)構消除支承部件，對制冷機結(jié)構進行緊湊性設計，制冷冷量重量 比大于 4.2W/kg@80K；采用多臂板簧的自適應被動減振技術和高效散熱技術，產(chǎn)品 滿足軍標環(huán)境適應性要求。

  2. 產(chǎn)品功能

  為各種類型的器件和系統(tǒng)提供 35K-240K 低溫環(huán)境。

  3. 產(chǎn)品特點

   

  體積高、重量小、重量輕，壽命長。

  4. 應用領域

  高溫超導接收前端、低溫斯特林冰箱、微型制氮機、制氧機、冷光學濾光片、鍺 探測器、阿爾法磁譜儀、高光譜成像儀、射電望遠鏡陣列、通訊基站等領域的冷卻。